微電子設(shè)備研究室
中國科學(xué)院微電子研究所微電子設(shè)備研究室于2010年底建成重大科研裝備研發(fā)與Demo測試平臺實驗室，該實驗室按照千級凈化標(biāo)準(zhǔn)建造，是針對下一代集成電路設(shè)備關(guān)鍵技術(shù)、太陽能電池裝備、高亮度LED制造裝備和通用型微細(xì)加工設(shè)備進行自主研發(fā)，特別是針對亞32nm節(jié)點CMOS工藝、MEMS工藝、太陽能電池工藝和其它特殊工藝，進行設(shè)計、加工、及測試服務(wù)。集微米、納米加工和檢測手段于一體，具有先進的、有特色的多功能的加工及檢測平臺 。被納入集成電路測試技術(shù)北京市重點實驗室、中國科學(xué)院微電子器件與集成技術(shù)重點實驗室、全國納米技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會微納加工技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)化工作組、北京集成電路測試技術(shù)聯(lián)合實驗室等。
實驗室正在逐漸建設(shè)成為一個融集成電路、新能源、LED和通用型設(shè)備、工藝的基礎(chǔ)研究、加工、裝配和測試分析于一體的完善的研究開發(fā)和用戶服務(wù)體系。
實驗室可以提供萬級凈化環(huán)境的裝配車間，工藝設(shè)備和測試儀器可以提供對外加工服務(wù)，可以進行項目合作開發(fā)，為高校提供實習(xí)實踐基地等，隨時歡迎您的到來！
部分設(shè)備介紹
原子力顯微鏡
可用來測量直徑可達200毫米的半導(dǎo)體硅片、刻蝕掩膜、磁介質(zhì)、CD/DVD、生物材料、光學(xué)材料和其它樣品的表面特性。掃圖最寬范圍為90um*90um,最深臺階＜10um。Z軸精度可達0.1nm，XY精度可達1nm。
激光共焦顯微鏡
可獲得分辨率高達0.12μm的表面顯微圖像，通過處理圖像，獲得樣品表面的三維真實形態(tài)，最終可測得亞微米級的線寬,面積,體積,臺階,線與面粗糙度,透明膜厚，幾何參數(shù)等測量數(shù)據(jù)。
臺階儀
主要應(yīng)用于薄膜的厚度測量、物體表面形貌測量、應(yīng)力測量和平整度等精密測量。低噪聲基底可改善表征微小表面特征的測量靈敏度小于6 埃的步進高度可重復(fù)性。 可測臺階＜300um，精度可到6埃。
橢偏儀
目前世界范圍內(nèi)最先進的全自動橢偏儀，專利光斑可視技術(shù)，高精度，8種微光斑尺寸，可測薄膜的厚度，光學(xué)參數(shù)等。
電阻測試儀
四探針法測量表面電阻，矩形最大可測156*156mm，圓片最大8inch，可生成mapping圖。
光學(xué)顯微鏡
電腦實時顯示成像，可測8inch。電動物鏡轉(zhuǎn)換器的切換速度比原來提高了20%。 UIS2物鏡大幅度地提高了高倍率的偏心精度。配有1.25倍物鏡，最大可檢查范圍的直徑為20.8mm
同步熱分析儀
覆蓋 -150 至 2000℃ 的寬廣的溫度范圍。可以快速而深入地對材料的熱穩(wěn)定性，分解行為，組分分析，相轉(zhuǎn)變，熔融過程等進行表征。
太陽能電池IV測試儀
最大可測矩形片156*156mm,圓片8inch，模仿太陽光照射下的IV曲線。
光學(xué)輪廓儀
測量樣品表面粗糙度，主要針對光滑表面，測量垂直分辨率是0.1nm，最大縱深為 1um。測量表面臺階高度，的最大高度可達 5mm。
傅立葉紅外光譜儀
適用于液體、固體、金屬材料表面鍍膜等樣品。它不僅可以檢測樣品的分子結(jié)構(gòu)特征，還可對混合物中各組份進行定量分析，本儀器的測量范圍為(7500～370) cm-1，常用波數(shù)范圍(4000～400) cm-1【對應(yīng)波長范圍為(2.5～25)μm】。
X射線衍射儀
儀器采用當(dāng)前最先進的技術(shù)，測角儀測角準(zhǔn)確度與精確度達到當(dāng)前世界先進水平， 保證衍射峰位、峰形和強度測量準(zhǔn)確、精確。可進行粉末物相分析、晶粒大小判斷、結(jié)晶度分析、物相含量分析、薄膜分析。儀器包括X射線發(fā)生器、高精密測角儀、人工多層膜聚焦鏡，五軸薄膜樣品臺、計算機控制系統(tǒng)、數(shù)據(jù)處理軟件、相關(guān)應(yīng)用軟件等。
全自動反射式薄膜測量儀
為自主研發(fā)設(shè)備，可測量硅晶太陽能絨面減反膜，單晶及多晶太陽能基底，一般薄膜膜厚測量，硅晶太陽能絨面減反膜及一般薄膜折射率測量(光學(xué)常數(shù) n&k),電動平移臺實現(xiàn)全表面自動掃描，深紫外寬光譜(有效光譜范圍210nm-1000nm)，測量時間：<2s/點，可實現(xiàn)快速精確測量，自動數(shù)據(jù)分析和報告生成。
霍爾效應(yīng)測試儀
本儀器主要用于量測電子材料重要特性參數(shù)，如載流子濃度、遷移率、電阻率、霍爾系數(shù)等。薄膜或體材料均可，其原理主要依據(jù)范德堡法則。除了用來判斷半導(dǎo)體材料導(dǎo)電類型(n或p)以外，它還可應(yīng)用于LED外延層的質(zhì)量判定、判斷在HEMT組件中二維電子氣是否形成以及太陽能電池片的制程輔助。
工藝設(shè)備
1. 磁控濺射臺 型號：SP-3
現(xiàn)有靶材為Ta、 Cu 、Si、Ti、Mo、Ni，其它薄膜濺射自帶靶材，最大可同時放入三片6寸圓片。濺射腔室可通入氣體：Ar，N2，H2，O2，濺射速率0.1—0.25nm/S（視材質(zhì)而定）。 
2. 等離子體浸沒式離子注入機 PIII-100
該設(shè)備由控制系統(tǒng)、真空系統(tǒng)、氣路系統(tǒng)、射頻電源、反應(yīng)室等五部分組成。可用于半導(dǎo)體材料的P、N型注入，也可用于H、He、Ar的注入用于智能剝離SOI材料的研究。 
3. 紫外光刻機 URE-2000/A
本設(shè)備主要用于紫外接近、接觸式光刻制造小規(guī)模集成電路、半導(dǎo)體器件、紅外器件、微機電系統(tǒng)（MEMS）等，可曝光2’’-6”圓片， 套刻工藝加工，燈源采用1000W直流高壓汞燈，曝光波長使用365nm。 
4. 快速退火爐 AW810M
溫度范圍為常溫至1200℃，升溫速度快，加熱至最高溫度僅需30S，可通N2、O2進行工藝。 
5. 硅片清洗機 SFQ-1508T
主要應(yīng)用于各種半導(dǎo)體基片及類似材料制造過程中的濕法清洗工藝。如半導(dǎo)體硅片、砷化鎵，太陽能電池板，掩模板及各種平板顯示器等。最大可清洗片子尺寸：Φ300mm , 含酸堿槽、氫佛酸槽,清洗槽最高加熱溫度可達200℃
6. 旋轉(zhuǎn)沖洗甩干機 CXS-2200B
該設(shè)備是高潔凈度沖洗甩干設(shè)備, 結(jié)構(gòu)采用凈化處理技術(shù)，去離子水電阻率監(jiān)控，可甩干2-8寸晶圓，125*125,156*156方片。
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